由浙江大學、浙江大學杭州國際科創中心牽頭，聯合工業與信息化部電子第五研究所、廣東工業大學、電子科技大學、南京大學、佛山市聯動科技股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、西交利物浦大學、香港科技大學等單位起草的標準T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》、T/CASAS 035—202X《用于第三象限續流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》已完成征求意見稿的編制，兩項標準征求意見稿按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化工作管理辦法，2024年4月1日起開始征求意見，截止日期2024年5月1日。 

T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。 

T/CASAS 035—202X《用于第三象限續流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》描述了用于第三象限續流模式（包括硬關斷和零電流關斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。 

誠摯地邀請具有GaN HEMT動態導通電阻相關測試數據的單位共同討論，支撐標準的完善、實施應用。 

征求意見稿文本請聯盟成員單位關注聯絡郵箱，非會員單位可發郵件至casas@casa-china.cn。