據外媒，4月18日消息，荷蘭阿斯麥 (ASML) 公司宣布，其首臺采用0.55數值孔徑 (NA) 投影光學系統的高數值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機已經成功印刷出首批圖案。這一突破是ASML公司以及整個高數值孔徑EUV光刻技術領域的一項重大里程碑。

ASML在聲明中表示，其位于埃因霍芬的高數值孔徑 EUV 系統首次印刷出 10 納米線寬（dense line）圖案。此次成像是在光學系統、傳感器和移動平臺完成粗調校準后實現的。接下來將致力于讓系統達到最佳性能表現，并最終在現實生產環境中復制這一成果。

據悉，ASML 配備 0.55 NA 鏡頭的新型 Twinscan EXE:5200 型光刻機能夠實現 8nm 的超高分辨率，可在2nm及以下節點芯片的制造領域占據明顯優勢。