據(jù)湖南三安半導體官微消息，日前，三安光電副總經(jīng)理、湖南三安半導體董事長林志東受邀參加中法企業(yè)家委員會第六次會議閉幕式。會議期間，詳細介紹了湖南三安半導體在SiC（碳化硅）項目方面的最新發(fā)展情況。

據(jù)悉，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，總投資160億元。目前，一期項目已于2021年6月投產(chǎn)，目前碳化硅年產(chǎn)能已達到25萬片（6吋）。二期于2022年7月開建，總投資80億元，將全部導入國際領(lǐng)先的8吋生產(chǎn)設(shè)備和工藝，計劃今年三季度投產(chǎn)。整個項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)總計年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

該項目作為國內(nèi)首個、全球第三個整合了SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)與制造項目，核心是建設(shè)一個擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)基地，主要產(chǎn)品包括以SiC、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料，覆蓋從襯底材料、外延生長到晶圓制造及封裝測試的整個生產(chǎn)流程。