5月21日，杭州士蘭微電子股份有限公司宣布與廈門(mén)市相關(guān)國(guó)資公司簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》，總投資額為120億元人民幣。

根據(jù)公告，士蘭微電子擬與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司雙方合作在廈門(mén)市海滄區(qū)合資經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目公司“廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司”，并由士蘭集宏負(fù)責(zé)建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能規(guī)模為6萬(wàn)片/月。

該項(xiàng)目位于廈門(mén)市海滄區(qū)，計(jì)劃將分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約為70億元，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片。第二期投資約為50億元，將在第一期的基礎(chǔ)上實(shí)施，建成后，新增8英寸SiC芯片2.5萬(wàn)片/月的生產(chǎn)能力，與第一期的3.5萬(wàn)片/月的產(chǎn)能合計(jì)形成6萬(wàn)片/月的產(chǎn)能。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。針對(duì)本次投資，士蘭微電子表示，將為士蘭集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目"的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)公司SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善公司在車(chē)規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。