6月2日，北京順義公眾號發文稱，中關村順義園企業北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發及應用產業化方面實現新突破，已領先于國際同類產品標準。
北京順義消息顯示，北京銘鎵半導體有限公司董事長陳政委介紹，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米×25毫米尺寸，而銘鎵半導體可以做到40毫米×25毫米尺寸，可穩定生產多爐且累計一定庫存。導電型（001）錫摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際上可達到4英寸，銘鎵半導體已實現大尺寸襯底工藝突破，并將逐步穩定工藝供貨。
目前，中關村順義園已聚集北京銘鎵半導體有限公司在內的27家“三代半”實體企業，涵蓋微波射頻、電力電子等領域，其中，規模以上企業10家。金冠電氣、能源互聯網加速器、漠石科技等都是今年新增加的實體項目。
