晶圓代工廠漢磊擬進軍化合物半導體8英寸廠，考量投資成本太高，計劃與具有現成8英寸廠的企業，展開策略合作; 半導體業界傳出，漢磊將與力積電合作，擬采技術作價方式，運用力積電的8英寸廠生產，雙方資源互補，以達經濟效益。

漢磊深耕化合物半導體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長達10年以上，也是中國臺灣少數半導體業擁有SiC、GaN技術的廠商，但旗下的晶圓廠都屬6英寸廠，隨著國際大廠與國內同業逐漸建立化合物半導體8英寸生產線，漢磊也開始展開進軍8英寸廠的準備。

漢磊董事長徐建華于上周股東會后受訪指出，目前漢磊正積極進行8寸廠的準備，包括技術研發與生產，但就生產而言，自己蓋晶圓廠的成本太高，將找已有8英寸廠的企業策略合作，才具最佳經濟效益。

就合作時間考量，徐建華表示，因目前8寸襯底價格超過6英寸三倍，他估計大約還要等一年到一年半的時間，等襯底降到合理價格，將是發展8英寸的最好時機點。他并說，可能今年就可敲定合作對象，目前不方便透露。

半導體業界透露，力積電在化合物半導體欠缺技術，尤其是門檻較高的SiC，8英寸廠產能利用率也不高，漢磊將與力積電合作，擬采技術作價方式，雙方資源互補，以達經濟效益，目前洽談合作中。

隨著產業往高頻的5G通訊、高電壓的電動車發展，未來AI更是看好，擁有高頻、高電壓的GaN、SiC的化合物半導體前景看好，徐建華尤其看好SiC，包括電動車、能源與AI，都會驅動SiC的應用與需求大幅提升。

不過，化合物半導體以國際大廠包括Wolfspeed、英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）等歐美日廠商為主，近幾年中國大陸積極投入資源，砸重金搶占市場，企圖彎道超車，產能大幅開出、殺價競爭，傳出SiC報價比漢磊少一半以上，漢磊與力積電未來在8吋廠攜手合作，也很難與中國大陸競爭。

 來源：自由時報