近日，聞泰科技在回答投資者提問時表示，為了滿足市場對高效功率半導體日益增長的長期需求，公司高度重視并且積極開拓第三代半導體領域。自2019年起，公司半導體業務的產品組合中就已經包含了GaN FET。在2023年，公司實現了 GaN產品 D-M 系列產品工業消費領域的銷售、 SiC 整流管的工業消費級的量產、MOSFET 的工業消費級的測試驗證，在開拓第三代半導體領域取得了積極的進展。

此外，公司在2023年還實現了IGBT模組平臺和產品的測試認證，PMIC系列產品的測試認證并實現量產，這標志公司半導體業務的BCD平臺和產品線正式進入市場，開拓了新的藍海。在投入研發的同時，公司通過與行業合作伙伴合作提升產品創新能力，發揮協同作用，推動技術能力升級，確保產品的長期穩定供應，為公司在第三代化合物半導體領域的持續發展拓展更大空間。

2024年6月27日，公司半導體業務的承載平臺——安世半導體宣布將投資2億美元在漢堡研發和生產下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并增加二極管和晶體管的晶圓產能，同時計劃在未來兩年內在該廠建立現代化、經濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產線，為公司帶來新的增長空間。

 （來源：金融界）