據(jù)株洲日?qǐng)?bào)消息，7月17日，湖南省高校科技成果轉(zhuǎn)化工作推進(jìn)大會(huì)暨“雙高”對(duì)接活動(dòng)在株洲舉行。會(huì)上舉行了全省“雙高”對(duì)接項(xiàng)目簽約儀式，清華大學(xué)謝志鵬教授團(tuán)隊(duì)與湖南維尚科技有限公司簽訂“功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制”項(xiàng)目合作協(xié)議。

近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。氮化硅陶瓷的理論熱導(dǎo)率可達(dá)到 200 W/(m·K)以上，而其熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)相差無幾。大部分陶瓷材料研究者和產(chǎn)業(yè)界相關(guān)研發(fā)人員認(rèn)為氮化硅陶瓷基板是大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路封裝基板材料的優(yōu)先選擇。

燒結(jié)工藝是氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一，氮化硅基板燒結(jié)受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響，過程極其復(fù)雜，極易出現(xiàn)外觀均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問題。需要系統(tǒng)開展燒結(jié)工藝研究，針對(duì)國(guó)產(chǎn)原料及相應(yīng)配方制定與之匹配的燒結(jié)工藝，燒結(jié)設(shè)備。

此次項(xiàng)目合作開展功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制與先進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化。謝志鵬教授在會(huì)上接受采訪時(shí)提到，此次項(xiàng)目落地后，將會(huì)解決關(guān)鍵制品受制于人的局面。此外，清華大學(xué)材料學(xué)院與萬融科技、608所等株洲的企業(yè)院所，建立了密切的合作關(guān)系，部分項(xiàng)目也是被株洲推薦為湖南省“揭榜掛帥”重點(diǎn)項(xiàng)目，以政策為牽引，加速項(xiàng)目落地轉(zhuǎn)化的進(jìn)度。