2024年7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET技術(shù)標準已完成征求意見稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。
標準征求意見稿列表
2024年1月11日，SiC功率器件與模塊工作組于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心召開第一次工作會議，初步確定了SiC MOSFET可靠性評價標準體系建設(shè)的整體布局；經(jīng)過標準立項、征集起草小組、召開起草小組會議，標準文稿反復討論、修改；2024年7月10日，SiC功率器件與模塊工作組于復旦大學/上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心召開第二次工作會議，全面集中討論了標準草案；其中9項標準于7月19日形成征求意見稿。
其中，針對T/CASAS 021—202X SiC MOSFET閾值電壓測試方法（征求意見稿），聯(lián)盟秘書處將組織測試比對工作，請有意愿參與的單位發(fā)送聯(lián)系人信息至casas@casa-china.cn或電話聯(lián)系秘書處問詢，咨詢電話010-82385580。
