7月25日，優睿譜官宣于近日完成新一輪數千萬元的融資，本輪融資由君子蘭資本領投，境成資本、琢石投資、南通海鴻金粟等跟投。本輪融資將用于晶圓邊緣檢測設備SICE200、晶圓電阻率量測設備SICV200、晶圓位錯及微管檢測設備SICD200、多種半導體材料膜厚測量設備Eos200DSR等多款設備的量產，新布局產品的研發以及團隊的擴充。

優睿譜成立于2021年，由長期從事于半導體行業的海歸博士領銜，協同國內資深的半導體前道制程量測設備技術團隊共同發起成立，致力于打造高品質的半導體前道量測設備。2022年8月，優睿譜宣布完成數千萬元Pre-A輪融資，由弘卓資本領投、銀珠資本、南京信達誠惠以及合肥眾余等跟投。資金主要用于半導體專用FTIR測量設備Eos200/Eos300、Selene系列產品的量產及新設備的開發。

2023年7月，優睿譜官宣完成近億元A輪融資，由基石浦江領投，渾璞投資、星河資本、中南創投、泓湖資本、杭州盟合、景寧靈岸等跟投。資金用于新產品的研發及量產。據悉，優睿譜SICE200設備，實現了對碳化硅等化合物半導體以及硅襯底和外延片晶圓的邊緣缺陷檢測。

優睿譜SICV200是一款用于測量硅片電阻率、碳化硅或其它半導體材料摻雜濃度的半導體量測設備，可支持對包括12英寸在內的各種不同尺寸晶圓，進行可持多頻率下CV特性分析。機臺配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動方案以及符合SEMI標準的全自動方案，可直接對接客戶工廠MES系統，實現自動化生產。

優睿譜Eos200DSR是一款兼容8/6寸晶圓尺寸，用于測量SOI晶圓表面多層不同材料薄膜厚度的全自動化設備。其中一個應用是同時測量SOI晶圓的二氧化硅和寬范圍頂層硅厚度。Eos200DSR可以在測量幾十納米至幾微米的BOX的同時，完成小于1微米至幾百微米的頂層硅厚度的測量。該設備也可以應用于其它材料的薄膜量測要求，比如新崛起的硅基鈮酸鋰等。

（來源：集微）