2024年7月25日，由浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心牽頭起草的團體標準T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》已形成委員會草案，兩項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會草案已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務理事及理事單位。 T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態(tài)導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件： a) GaN增強型和耗盡型分立電力電子器件； b) GaN集成功率電路； c) 以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。 T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關斷和零電流關斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態(tài)導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件： a) GaN增強型分立電力電子器件； b) GaN集成功率電路； c) 以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。
