7月25日，北京經濟技術開發區（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業——北京芯合半導體有限公司（以下簡稱“芯合半導體”）發布自主研發生產的SiC SBD（碳化硅二極管）、SiC MOSFET（碳化硅三極管）兩個系列的多款碳化硅功率器件，為半導體產業發展注入“芯”動力。 

作為用來控制電流的重要半導體器件，SBD和MOSFET廣泛應用于電力電子領域。而被稱為第三代半導體關鍵材料的碳化硅（SiC），更是開啟了功率半導體的新時代。芯合半導體此次推出的碳化硅功率器件，采用了第三代半導體材料碳化硅和領先的芯片設計及制造工藝技術，具有更耐高溫、更耐高壓、高頻率、低功耗等優勢，可以廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變、電力儲能、服務器電源、工業電源變頻、智能電網、軌道交通等各個領域。尤其在新能源汽車領域，碳化硅功率器件有助于實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高效化，在新能源車的主驅逆變器等關鍵電控部件中將發揮更重要的作用。 

“我們此次推出的1200V 17mΩ和13mΩ碳化硅MOSFET，可用于新能源電動車主驅逆變器，將電池釋放出來的直流電轉換成交流電，驅動馬達讓汽車跑得快跑得遠。”芯合半導體總經理趙清介紹道。

芯合半導體研發的1200V/13毫歐碳化硅晶圓。企業/供圖

“發布會當天，來自全國各地的30余家下游用戶及合作伙伴親臨現場，共同展望產業發展，這既是對我們產品的認可，更是對我們團隊的信任。”趙清表示，作為一家專注于碳化硅功率芯片的IDM企業，芯合半導體擁有一支技術和產業化經驗豐富的核心團隊，秉承“極致、和諧、堅持”的企業文化，深耕功率半導體，重點致力于開發碳化硅分立器件和功率模塊及應用，為實現高功率密度電能轉換系統的高效率、小型化和輕量化提供完整的半導體解決方案，產品主要為SiC SBD 、SiC MOSFET和SiC模塊。

在北京經開區一流營商環境和創新產業生態的支撐下，芯合半導體已在北京經開區布局了一條6英寸碳化硅器件生產線，年產能可達3萬片。

“自入駐北京亦莊以來，我們獲得了經開區在政策、空間、人才、一對一服務等各方面的支持，期待在這片創新沃土上實現更高質量的發展。”趙清表示，展望未來，在技術路線圖上，芯合半導體將持續向著碳化硅更高能量密度器件方向發展，從平面型結構到溝槽型結構，趕超國際一流水平；從產品類型結構上，將根據國家新能源發展戰略及市場需求，豐富完善產品結構，尤其是針對新能源汽車領域的相關產品；在產能規劃上，芯合半導體將在未來三年建設更大規模的碳化硅器件生產制造基地，預計實現年產30萬片8英寸晶圓的產能規模。 

轉自：北京亦莊