天眼查顯示，派恩杰半導體（杭州）有限公司近日取得一項名為“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”的專利，授權公告號為CN112951922B，授權公告日為2024年7月23日，申請日為2021年3月25日。

本發(fā)明提供了一種集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制備方法，由于用于ESD的PN結二極管是集成在MOSFET器件本身需要的柵極壓焊區(qū)下方，不需要額外的芯片面積，不會影響芯片的集成度。且柵極壓焊區(qū)的面積較大，使得PN結二極管的面積也可以較大，PN結二極管環(huán)繞在柵極壓焊區(qū)的下方，可以利用柵極壓焊區(qū)的面積，增大PN結二極管的面積提高ESD泄放能力；由于通過調節(jié)PN結邊緣的形貌和摻雜濃度就可以調節(jié)PN結二極管的擊穿電壓，因此通過在第一摻雜離子重注入區(qū)和第二摻雜離子注入區(qū)的邊緣設置多個尖峰角，就可以調節(jié)PN結二極管的擊穿電壓；且所述PN結二極管的形成是和形成MOSFET器件的工藝步驟同步進行，不額外增加光刻掩膜步驟，不會增加芯片制作成本。