天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，山東華光光電子股份有限公司申請一項名為“一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法“，公開號CN202410397483.7，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法，屬于大功率半導(dǎo)體激光器電鍍金電極技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明大功率激光器的待鍍金區(qū)域為薄金種子層，非鍍金區(qū)域為納米級SiO2絕緣層，代替了較厚的光刻膠絕緣層，從而降低電鍍后大功率半導(dǎo)體激光器圖形化的偏離度，改善縱向發(fā)散角；同時，此方法為全覆蓋TiPtAu種子層，無需剝離去除非鍍金區(qū)上的TiPtAu種子層，在非鍍金區(qū)上生長納米級SiO2絕緣層，保證了整個晶圓的導(dǎo)電性一致，鍍層均勻性穩(wěn)定在10％內(nèi)，有利于大功率半導(dǎo)體激光器的焊線封裝。此方法也避免了堿性電鍍液中光刻膠的溶解，避免了電鍍液的污染和電鍍鍍層的污染，大大提高了鍍層金屬良率和電鍍液的利用率。