天眼查顯示，芯聯集成電路制造股份有限公司“溝槽型功率器件結構及其制造方法”專利公布，申請公布日為2024年7月23日，申請公布號為CN118380411A。

本發明提供一種溝槽型功率器件結構及其制造方法，在半導體襯底內形成第一溝槽和自所述第一溝槽的底部向下延伸的第二溝槽，第一溝槽用于填充柵極，第二溝槽用于填充介質層，所述第一溝槽包括縮口區段，縮口區段從頂部至底部開口寬度逐漸減小，如此，可使得相鄰柵極溝槽之間通過離子注入所形成的發射極區的面積增大，從而可以解決現有技術中因發射極區面積過小而影響閾值電壓正常開啟的問題。