天眼查顯示，華羿微電子股份有限公司近日取得一項名為“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”的專利，授權公告號為CN117476770B，授權公告日為2024年7月19日，申請日為2023年11月16日。
本發明公開了一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法，將器件有源區部分溝槽區域的源極多晶硅或者柵極多晶硅通過接觸孔與源極金屬層相連，使得該部分區域不參與整個器件的導通，能夠有效降低器件的柵極電荷，同時由于溝槽下方屏蔽柵的存在可以保障器件有足夠擊穿電壓。該器件在中高壓領域具有極大優勢，當器件有源區50%的區域采用此種技術將使得器件的FOM最優值降低~46.5%（以150V耐壓器件為例），從而最終使得器件最優值FOM降低并且擁有更高的性價比。該器件的制作方法能夠很好的與現有屏蔽柵型MOSFET器件制造工藝兼容，因此不會帶來不可實現工藝的技術瓶頸，具有很高的轉化價值。
