8月7日，晶升股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已完成驗(yàn)證，開啟了批量交付進(jìn)程。

從產(chǎn)品研發(fā)-客戶驗(yàn)證-批量交付的時(shí)間軸來看，晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備在產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)展較快。今年1月，晶升股份在投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中介紹了其碳化硅長晶設(shè)備的價(jià)格及研發(fā)進(jìn)展。彼時(shí)，晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已通過了客戶處的批量驗(yàn)證。

而本次完成批量交付，意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)入了新的發(fā)展階段。

在8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)下，晶升股份正在全面布局8英寸碳化硅產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備，除了長晶設(shè)備外，晶升股份針對(duì)外延、切片等工藝流程也在設(shè)備方面取得了一定進(jìn)展。

針對(duì)外延環(huán)節(jié)，晶盛機(jī)電于2023年6月宣布成功研發(fā)出8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備。據(jù)介紹，該設(shè)備可兼容6/8英寸碳化硅外延生產(chǎn)，在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上，解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場(chǎng)均勻性、流場(chǎng)均勻性等控制難題，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。

切片方面，晶升股份此前曾披露，切割設(shè)備計(jì)劃于今年4月左右發(fā)往客戶做最終測(cè)試，若測(cè)試成功即可正式推出。

目前，晶升股份正在從設(shè)備方面大力布局8英寸碳化硅襯底和外延環(huán)節(jié)，有望在2023年持續(xù)開拓三安光電、東尼電子、比亞迪等客戶的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步拓展市場(chǎng)。

2024年以來，晶盛機(jī)電、連科半導(dǎo)體、優(yōu)晶科技、愛思強(qiáng)等國內(nèi)外設(shè)備廠商圍繞8英寸碳化硅設(shè)備披露了技術(shù)突破、新品發(fā)布、客戶簽單等各方面的進(jìn)展。

其中，晶盛機(jī)電今年3月在SEMICON China 2024上海國際半導(dǎo)體展期間發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測(cè)設(shè)備等8英寸碳化硅設(shè)備，意味著晶盛機(jī)電正在從長晶、檢測(cè)等環(huán)節(jié)深化對(duì)8英寸碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的布局。

隨后在5月，連科半導(dǎo)體發(fā)布新一代8英寸碳化硅長晶爐，正式實(shí)現(xiàn)了大尺寸碳化硅襯底設(shè)備的全面供應(yīng)。

而在6月，優(yōu)晶科技披露其8英寸電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評(píng)審。經(jīng)鑒定，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備及工藝成果突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸。

在部分國內(nèi)廠商實(shí)現(xiàn)8英寸設(shè)備技術(shù)突破的同時(shí)，國際廠商愛思強(qiáng)簽下了8英寸碳化硅設(shè)備新訂單，安世半導(dǎo)體訂購了愛思強(qiáng)用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備，這款G10-SiC設(shè)備最早發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長。

目前，盡管國內(nèi)設(shè)備廠商在8英寸碳化硅設(shè)備方面大多處于產(chǎn)品研發(fā)、客戶驗(yàn)證以及小批量出貨階段，在規(guī)模交付方面與國際廠商仍有差距，但在國內(nèi)廠商的共同努力下，國產(chǎn)設(shè)備未來可期。

尺寸越大，單位芯片成本越低，6英寸往8英寸方向升級(jí)，是碳化硅重要的降本路徑之一。目前，包括晶升股份在內(nèi)的國內(nèi)外大部分碳化硅設(shè)備廠商均在積極布局8英寸，有利于推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)降本增效，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)碳化硅相關(guān)產(chǎn)品更大范圍的普及應(yīng)用。