天眼查顯示，無錫利普思半導體有限公司“一種功率模塊結構”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118471913A。 

本發明涉及一種功率模塊結構，功率模塊包括外殼、基板、底板、芯片和填充材料。外殼為中空結構，包括柵體，柵體兩側連接于外殼內，上端與外殼間隙配合。底板固定設置于外殼下端，基板設置于底板上，芯片電氣連接于基板上端，填充材料填充于中空結構內。其中，柵體的位置不與芯片對應，柵體下端伸入填充材料中，將一部分填充材料分隔于柵體兩側，減小柵體兩側區域內填充材料的體積，填充材料固化后，減小了柵體附近區域應力集中的大小，改善了應力分布狀態，降低了填充材料內產生裂紋以及裂紋擴散至芯片附近的可能性，提高了功率模塊的使用壽命。