天眼查顯示，上海積塔半導體有限公司“基于TDDB優化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118471899A。

本發明提供了一種基于TDDB優化的MOSFET器件及其制備方法。本發明通過兩次多晶硅生長刻蝕工藝，使得所形成的柵氧化層以及柵極的膜層厚度滿足MOSFET器件的相應工藝厚度要求的同時，所形成的淺溝槽隔離結構的頂面高于半導體襯底的表面，淺溝槽隔離結構的側壁與柵氧化層相接觸，能夠避免在后續刻蝕第二多晶硅層過程中對淺溝槽隔離結構頂角區域處的柵氧化層的破壞，實現對淺溝槽隔離結構頂角區域處的柵氧化層的保護，增加淺溝槽隔離結構頂角區域處的柵氧化層工藝厚度，最終優化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件擁有更高的擊穿電壓以及更長的可靠性壽命。