近日，北京市生態環境局公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目（以下簡稱“二期項目”）環評審批。環評報告書中指出，隨著北京天科合達創新能力、市場占有率的不斷提升，行業內影響力不斷增強，計劃擴大生產規模，擬在現有廠區西側地塊建設二期項目。
據悉，二期項目位于北京市大興區大興新城東南片區0605-022C地塊為現有工程東側空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛等。
公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產線及研發中心，以及相關配套設施。該項目用于擴大公司碳化硅晶體與晶片產能，同時建設研發中心以對生產工藝和參數持續進行優化和完善，投產后將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。
