天眼查知識產權信息顯示，河北博威集成電路有限公司取得一項名為“集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法“，授權公告號 CN118136672B，申請日期為 2024 年 4 月。
專利摘要顯示，本申請適用于半導體器件技術領域，提供了一種集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法，該器件包括：自下而上依次堆疊的漏極金屬、N+襯底和 N 漂移層和源極金屬；N 漂移層的上表面有至少一個凹槽，在凹槽的兩側形成兩個凸臺；凹槽的下方有 P 阱，P 阱內設有 N+源區和 P+源區；凹槽的底部有歐姆接觸金屬和柵極；在遠離柵極一側的凹槽的側壁上和凸臺的上表面有第二肖特基接觸金屬，凸臺、歐姆接觸金屬和第二肖特基接觸金屬形成雙凸臺 SBD。本申請能夠在減小 SiC MOSFET 器件續流損耗、開關損耗、避免雙極退化的同時，增大 SBD 的正向導通電流，減小反向漏電，極大提升單片集成 SBD 的 SiC MOSFET 器件的性能。
