天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法“，授權(quán)公告號(hào) CN113169227B，申請(qǐng)日期為 2018 年 9 月。專利摘要顯示，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底和設(shè)置在襯底上的外延層。外延層的至少一部分摻雜有金屬原子，靠近襯底的外延層的下表面的金屬原子的摻雜濃度高于 1×10¹⁷atoms/cm³。