8月28日，飛锃半導體香港子公司（Alpha Power Solutions Hong Kong Limited）獲得香港創新科技署創新及科技基金資助，用于開發SiC溝槽MOSFET晶體管制造技術和產品研發，助力打造粵港澳大灣區集成電路產業“芯”高地。

第三代半導體技術作為香港近年來重點發展的科技領域之一。為此，特區政府設立了專注于半導體研發的中心——香港微電子研發院，將專注于支持第三代半導體材料，特別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并通過構建大學、研發中心與產業界之間的緊密合作網絡，加速技術轉化和商業化進程。這將有助于推動香港成為全球第三代半導體技術的研發與應用中心，為香港乃至大灣區的科技創新和經濟發展注入新的活力。

飛锃半導體，作為中國碳化硅功率半導體器件領域的領軍企業，長期以來專注于碳化硅產品的研發、生產和銷售，已成功在新能源汽車、直流充電樁、光伏及儲能、智能家居等多個關鍵領域實現廣泛應用，為行業頭部企業提供了優化的碳化硅產品解決方案，為碳中和目標的實現貢獻了重要力量。

飛锃半導體首席執行官周永昌（Tony Chau）表示：“在創新科技署的支持下，飛锃半導體已經取得了顯著成就，成功開發出并量產與國際頂尖IDM供應商性能相當的碳化硅二極管和MOSFET產品，并確立了我們在碳化硅器件領域的領先地位。憑借在碳化硅器件工藝方面的深厚積累，我們勇敢迎接新挑戰，全力開發碳化硅 TRENCH MOSFET 以降低單位成本，推動碳化硅 MOSFET 推向更廣闊的市場。”

針對平面碳化硅晶體管成本高、微型化難度大等挑戰，飛锃半導體將聚焦于開發一種創新性的碳化硅MOSFET制造技術，力求以成本效益的方式提供世界級品質的產品。在平面碳化硅MOSFET技術成功應用的基礎上，進一步探索溝槽式碳化硅MOSFET技術，優化傳統設計中的JFET電阻，有效降低RSP，為未來幾代產品的進一步微型化奠定基礎。

此外，飛锃半導體還將深入研究碳化硅溝槽蝕刻、柵極電介質優化及退火工藝等關鍵技術，確保溝槽側壁和底部的平滑度，從而解決碳化硅MOSFET器件的可靠性問題。基于飛锃半導體在碳化硅MOSFET領域的豐富經驗，將繼續探索各種布局和器件結構，以持續提升器件性能，滿足市場日益增長的需求。

飛锃半導體將繼續致力于提供市場上具有競爭力的碳化硅MOSFET產品，推動整個行業的創新與發展。此次獲得香港創新科技署創新及科技基金資助，飛锃半導體將助力粵港澳大灣區第三代半導體芯片產業的發展，推動粵港澳大灣區成為全球半導體行業的領先力量。