天眼查知識產權信息顯示，廣東中圖半導體科技股份有限公司申請一項名為“一種高深度微結構圖形化半導體襯底及其制備方法“，公開號 CN202410621288.8，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種高深度微結構圖形化半導體襯底及其制備方法，所述制備方法，包括以下步驟：S100：獲取圖形化半導體襯底；S200：采用物理氣相沉積方法在圖形化半導體襯底上進行差異性沉積，以備在圖形化半導體襯底表面形成厚度不均的薄膜，S300：對所述薄膜進行刻蝕，使圖形化半導體襯底的 C 面漏出，而圖形化半導體襯底的凸起仍有薄膜覆蓋；S400：步驟 S300 處理后得到的圖形化半導體襯底進行選擇性刻蝕，所述選擇性刻蝕被配置為只能夠對半導體襯底進行刻蝕而無法刻蝕薄膜，以備將半導體襯底上的圖形刻蝕至所需高度和形狀；S500：去除半導體襯底上的薄膜，獲得高深度微結構圖形化半導體襯底。