天眼查知識產權信息顯示，江蘇能華微電子科技發展有限公司取得一項名為“一種 GaN 肖特基二極管及其制備方法“，授權公告號 CN118231482B，申請日期為 2024 年 5 月。
專利摘要顯示，本發明屬于功率電子器件技術領域，具體涉及一種 GaN 肖特基二極管及其制備方法。本發明提供的 GaN 肖特基二極管包括襯底、設置在襯底上表面的 GaN 層、AlGaN 層、陰極、鈍化層和陽極；陰極同時與 GaN 層和 AlGaN 層歐姆接觸；AlGaN 層上表面遠離所述陰極的一側且非邊緣的區域設置有多個分離的 P GaN 柱，相鄰 P GaN 柱之間填充有 NiO 層；所述陽極的一部分與所述 P GaN 柱和 NiO 層肖特基接觸。本發明對 GaN 肖特基二極管的結構和材料進行優化，利用 NiO 的弱 p 型半導體性能，降低了正向開啟電壓；同時利用 p GaN 柱對二維電子氣的強耗盡作用，保證了器件具有高的反向耐壓，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能。
