9月4日，據(jù)寧波股權(quán)交易中心官微消息，浙江萃錦半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：萃錦半導(dǎo)體）的母公司寧波萃錦科技發(fā)展有限公司正在籌劃建設(shè)面積4.2萬平方米的功率器件制造廠房，采用功率半導(dǎo)體中后道特色工藝（FSM+BGBM），打造功率器件生產(chǎn)基地。 

萃錦半導(dǎo)體采用Smart IDM模式，專注于新一代功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用服務(wù)。其致力于在新能源汽車、算力、儲(chǔ)能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，提供高可靠、高性能的分立器件、模塊和板級(jí)方案，產(chǎn)品包括600V-2000V電壓平臺(tái)的碳化硅MOSFET和模塊,、硅基超結(jié)SJ MOS、IGBT分立器件和模塊、新型合封功率芯片和板級(jí)系統(tǒng)方案等。在供應(yīng)鏈方面，萃錦半導(dǎo)體擁有海外成熟量產(chǎn)的碳化硅代工廠，每月可提供1000片以上的MOSFET，通過新籌建工廠的功率芯片中后道特色工藝線，萃錦半導(dǎo)體能夠?qū)⑻蓟鐼OSFET的月產(chǎn)能提升至3000片。

合作方面，2022年3月，萃錦半導(dǎo)體與湖南功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。該創(chuàng)新中心擁有功率模塊封裝設(shè)計(jì)中心、試制中心、檢測(cè)中心（其中檢測(cè)中心已獲得CNAS資質(zhì)），可以滿足先進(jìn)封裝工藝的開發(fā)和車規(guī)級(jí)全套可靠性測(cè)試。    研發(fā)進(jìn)展方面，2022年6月6日，萃錦半導(dǎo)體生產(chǎn)出首款碳化硅模塊樣品，樣品通過全部動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，性能指標(biāo)完全達(dá)到設(shè)計(jì)要求。該碳化硅模塊采用1200V碳化硅MOSFET芯片、三相全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，引入低感設(shè)計(jì)、雙面銀燒結(jié)、銅線鍵合、高溫灌封等技術(shù)，具有低雜散電感、優(yōu)異的熱管理結(jié)構(gòu)、超低損耗、高輸出功率、高可靠性等特點(diǎn)。