天眼查知識產權信息顯示，旭矽半導體（上海）有限公司、龍騰半導體股份有限公司取得一項名為“SGT-MOSFET 半導體器件的制備方法“，授權公告號 CN114520146B，申請日期為 2020 年 11 月。

專利摘要顯示，本發明提供一種 SGTMOSFET 半導體器件的制備方法，在第二溝槽區的側壁和底部形成多晶硅層，所述多晶硅層包括位于所述第二溝槽區側壁的第一介質層表面的側壁多晶硅層，以及位于所述第一氧化層表面的底面多晶硅層，所述底面多晶硅層的厚度厚于所述側壁多晶硅層的厚度；氧化所述側壁多晶硅層和所述底面多晶硅層，直至所述側壁多晶硅層全部氧化成初始第二氧化層，所述底面多晶硅層部分氧化成所述初始第二氧化層；去除所述初始第二氧化層以及位于所述第二溝槽區的側壁的第一介質層，直至暴露出所述第一氧化層上的剩余的底面多晶硅層；氧化所述剩余的底面多晶硅層，在所述第一氧化層上形成第二氧化層，從而避免出現第一氧化層過薄。