10月4日，中國臺灣科學園區審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。

據介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產氮化鎵功率元件相關產品。

資料顯示冠亞為臺亞半導體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術。公司可提供的氮化鎵功率元件包含650V（GaN on Si）以下與1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上規格，產品可應用在快速充電器、電動車、太陽能逆變器等新興應用領域。值得一提的是，未來冠亞或將重心放在8英寸氮化鎵業務的發展。

今年5月底，臺亞半導體舉行股東會，會議通過了將8英寸GaN（氮化鎵）事業群分割的計劃。分割后，6英寸氮化鎵產線繼續保留在臺亞，產線同時生產感測組件，且生產6英寸氮化鎵是為子公司冠亞或其他廠商代工；8英寸氮化鎵事業群則在分割完成后由冠亞承接。

據此前報道，冠亞8英寸氮化鎵產線的第一批設備已經全數到位，原計劃預定在第三季試產8英寸氮化鎵，若一切順利冠亞將在第四季前完成第一顆產品，第一條線月產能預估達2,000片。

據了解，目前8英寸氮化鎵業務已接到客戶訂單。本次投資案通過以后，冠亞將借助母公司臺亞半導體的外延技術和研發資源，進一步整合上下游產業鏈，加強中國臺灣地區在化合物半導體外延技術及相關高功率元件開發領域的競爭優勢，并推動氮化鎵長晶、晶圓切片及周邊材料供應鏈的產業集群的完善。