國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法”的專利，公開號(hào) CN 118762997 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法，提供襯底，在襯底上形成外延層，在外延層的上表利用離子注入形成體區(qū)；在 外延層上形成硬掩膜層，在硬掩膜層及其下方的外延層上的有源區(qū)上形成第一柵極溝槽，第一柵極溝槽的底端與體區(qū)的底端保持有預(yù)設(shè)的間距；在第一柵極溝槽的側(cè)壁形成側(cè)墻，以側(cè)墻和硬掩膜層為掩膜刻蝕第一柵極溝槽底部的外延層，形成第二柵極溝槽，第二溝槽的底部延伸出體區(qū)至外延層上；在有源區(qū)上形成接觸孔，其包括以下步驟：在第二柵極溝槽中形成柵極介電層以及位于柵極介電層上的柵極多晶硅層；去除硬掩膜層和側(cè)墻。本發(fā)明能保證較小的熱過程的前提下進(jìn)一步消除接觸孔套刻偏移對(duì)工藝影響，進(jìn)一步縮小元胞尺寸，提升溝道電流密度。