日前，武漢新城，長飛先進武漢基地，相關負責人介紹，該項目11月起設備就能進駐廠房，明年年初開始調試，預計5月可以量產通線，隨后將開啟良率提升和產能爬坡。長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。

2023年8月25日，長飛先進半導體第三代半導體功率器件研發生產基地落戶光谷。7天后，項目正式啟動建設。今年6月，主體結構全面封頂。“從去年9月打下第一根樁，到今年6月實現結構封頂，廠房建設耗時不到10個月，對于一個投資百億級的超大型項目而言，速度非常快。”項目負責人介紹。

按照原計劃，項目將于2025年1月設備搬入，2025年7月量產通線，2026年年底達到滿產。目前，項目進度提前了2個月。長飛光纖執行董事兼總裁、長飛先進董事長莊丹表示，第三代化合物半導體在新能源汽車、光伏儲能、電力電網、軌道交通等領域具有廣闊的應用場景。“我國擁有第三代化合物半導體的最大應用市場，發展第三代化合物半導體對于提升國際競爭力意義重大。”

光谷具備設計、制造、封裝、測試等半導體全產業鏈條，擁有成熟的產業環境，聚集大量產業人才。去年開始，長飛先進在武漢招聘了數百名人才，他們目前在長飛先進蕪湖基地的碳化硅產線上積累工作經驗。隨著生產設備搬入，部分產業人才將分批回到武漢，參與武漢基地設備調試、量產通線工作。 

“目前全球碳化硅市場處于供不應求狀態，長飛先進將持續加大研發投入力度，力爭早日實現量產通線，將武漢基地打造成世界一流的碳化硅器件制造標桿工廠。”項目負責人說。 

（來源 ：湖北日報）