在國內外同行重點關注氧化鎵單晶材料研制的同時，杭州富加鎵業科技有限公司（以下簡稱富加鎵業）提前布局氧化鎵外延技術攻關。在國家重點研發計劃“大尺寸氧化鎵半導體材料與高性能器件研究”項目支持（項目編號：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并與國家重點研發計劃項目器件團隊合作，成功制備了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件，與進口同類型外延片制備器件性能相當。

01產品規格

富加鎵業提供分子束外延技術（MBE）制備的氧化鎵外延片產品，采用非故意摻雜層與Sn摻雜層復合的雙層外延結構，襯底材料為半絕緣型（010）Fe摻雜氧化鎵，主要應用于橫向功率器件。常規產品摻雜層載流子濃度為1-4E17cm^-3，遷移率＞80 cm²/V·s，表面粗糙度＜2 nm。 

02 驗證結果

國家重點研發計劃項目合作器件團隊對該款MBE氧化鎵外延片產品進行了初步流片驗證，12 μm柵漏間距氧化鎵MOSFET器件電流密度為60 mA/mm（圖a），比導通電阻約為42 mΩ?cm²，擊穿電壓可達2242 V（圖b），與采用進口同類材料的器件性能相當。富加鎵業也將根據器件研制反饋結果，持續改進和優化，對外延產品進行新一輪迭代，致力于為下游器件廠商提供穩定可控的高質量氧化鎵單晶襯底及外延產品，為我國打造有國際競爭力的氧化鎵產業鏈提供材料保障，實現我國氧化鎵基器件全鏈路貫通。

圖a-b 柵漏間距LGD=12 μm，柵極長度LG=1.5 μm時，氧化鎵MOSFET的直流輸出特性曲線和擊穿曲線。

 (來源：杭州富加鎵業科技有限公司)