2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。 本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
除了重量級(jí)開幕大會(huì)，論壇設(shè)有五大熱點(diǎn)主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)和先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。
目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)”最新報(bào)告日程正式出爐。本屆分會(huì)得到了國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司的協(xié)辦支持。組委會(huì)特邀請(qǐng)北京大學(xué)理學(xué)部副主任、長(zhǎng)江特聘教授沈波，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員徐科，北京大學(xué)教授于彤軍共同主持分會(huì)。
屆時(shí)，將有日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員谷保芳孝，中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任程紅娟，西安電子科技大學(xué)教授周弘，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人姚威振，安徽工程大學(xué)集成電路學(xué)院副院長(zhǎng)林信南，蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理Lambrinaki MARIIA，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員任國(guó)強(qiáng)，山東大學(xué)教授/山東晶鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)張雷，中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師韓穎，南京大學(xué)劉歡等來自國(guó)內(nèi)外科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)代表參與，圍繞氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)主題共同探討，關(guān)注前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向，敬請(qǐng)關(guān)注！
分會(huì)詳細(xì)日程
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技術(shù)分會(huì)：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù) Technical Sub-Forum：Nitride Semiconductor Substrate, epitaxial growth and related equipment technology |
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時(shí)間：2024年11月20日08:50-12:10 地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G107 Time: Nov 20, 08:50-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G107 |
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協(xié)辦單位 |
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州） National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou) 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. 蘇州思體爾軟件科技有限公司 Suzhou STR Software Technology Co. Ltd. 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司 CASInstrument Semiconductor Technology |
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主持人 Moderator |
沈波/SHEN Bo 北京大學(xué)理學(xué)部副主任、長(zhǎng)江特聘教授 Professor of School of Physics at Peking University 徐科/XU Ke 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員 Director of Jiangsu Institute Advanced Semiconductors Ltd., Associate Director and Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), CAS 于彤軍/YU Tongjun 北京大學(xué)教授 Professor of Peking University |
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08:50-09:00 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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09:00-09:25 |
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展 Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices 谷保芳孝——日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員 Taniyasu YOSHITAKA——Group leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
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09:25-09:45 |
氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望 Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials 程紅娟——中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任 CHENG Hongjuan——Deputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46TH Institute |
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09:45-10:05 |
AlN基高壓高頻功率器件研究進(jìn)展及挑戰(zhàn) Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials 周弘——西安電子科技大學(xué)教授 ZHOU Hong——Professor at Xidian University |
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10:05-10:25 |
硅襯底GaN基光電材料外延生長(zhǎng) Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate 孫 錢——中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員 SUN Qian——Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences |
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10:25-10:45 |
GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究 Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure 姚威振——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人 YAO Weizhen——Associate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences |
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10:45-11:05 |
用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù) High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy 林信南——安徽工程大學(xué)集成電路學(xué)院副院長(zhǎng) LIN Xinnan——Vice Dean and Professor , School of Integrated Circuits, Anhui University of Technology |
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11:05-11:20 |
茶歇 / Coffee Break |
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11:20-11:40 |
基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模 Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices Lambrinaki MARIIA——蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理 LAMBRINAKI MARIIA——General Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd. |
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11:40-12:00 |
氨熱法氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn) Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method 任國(guó)強(qiáng)——中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員 REN Guoqiang——Professor, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences |
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12:00-12:20 |
大尺寸氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展 Research Progress on Growth of Large Size GaN Single Crystal 張雷——山東大學(xué)教授/山東晶鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng) ZHANG Lei——Professor of Shandong University |
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12:20-12:35 |
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長(zhǎng)研究 Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate 韓穎——中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師 HAN Ying——Senior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute |
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12:35-12:50 |
等離子體輔助分子束外延生長(zhǎng)AlN薄膜 AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy 劉歡——南京大學(xué) LIU Huan——Nanjing University |
