天眼查顯示，蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司近日取得一項名為“半導體材料生長速率的測試方法”的專利，授權公告號為CN118168882B，授權公告日為2024年10月11日，申請日為2024年5月14日。
本發明提供一種半導體材料生長速率的測試方法，包括：對半導體襯底層進行刻蝕之后，在半導體襯底層的表面交替外延第一半導體層和第二半導體層，第一半導體層和第二半導體層均包括相同的主半導體材料；第一半導體層的導電類型和第二半導體層的導電類型不同；或者，第一半導體層還包括第一摻雜離子，第二半導體層還包括第二摻雜離子，第一摻雜離子的濃度和第二摻雜離子的濃度不同；沿晶向進行切割，形成切割面；對切割面進行顯微鏡測試，獲取不同晶向對應的第一半導體層和/或第二半導體層的測試厚度；根據不同晶向對應的測試厚度、以及第一半導體層和/或第二半導體層的外延時間獲取不同晶向的生長速率。
