國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司申請一項名為“一種雙腔處理系統及氣體供應方法”的專利，公開號CN 118888421 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種雙腔處理系統及氣體供應方法，包括：兩個處理腔，用于分別對置于其中的基片進行工藝處理。主進氣通道，與一工藝氣體源相連，用于將所述工藝氣體源中的工藝氣體輸送至兩個所述處理腔內。氣體流量調節組件，設置在所述主進氣通道上，包括至少一個氣體分流器。流量調整控制單元，用于根據兩個處理腔的基片處理結果控制所述氣體流量調節組件以實現對進入兩個處理腔內的工藝氣體氣流的調整。本發明能夠解決由于雙腔處理系統的出氣口的固有問題導致的兩個處理腔的氣壓不同，進而導致兩個處理腔內的刻蝕率存在不一致的問題。