2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

牛津儀器將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨A22號展位參觀交流、洽談合作。

公司簡介

牛津儀器1959年創(chuàng)建于英國牛津，是英國倫敦證交所的上市公司，為工業(yè)和科研客戶提供分析設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備、超導(dǎo)磁體、超低溫設(shè)備等高科技解決方案及相關(guān)服務(wù)和支持。目前牛津儀器現(xiàn)已成為科學(xué)儀器領(lǐng)域的跨國集團公司，生產(chǎn)基地、銷售服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和客戶遍及一百多個國家和地區(qū)。

牛津儀器始終關(guān)注和支持著中國的發(fā)展，其產(chǎn)品于40年前就進入了中國市場，目前在上海設(shè)有銷售、研發(fā)和全國售后服務(wù)中心 ，在北京、廣州設(shè)有辦事處，旨在為廣大中國用戶提供及時、有效的服務(wù)。 

產(chǎn)品介紹

SiC等離子體拋光

牛津儀器Plasma Polish（等離子體拋光）是一種具有高性價比、可擴展性且經(jīng)過驗證的干法蝕刻技術(shù)，可替代CMP(化學(xué)機械拋光)進行制備用于外延生長的SiC基底。該技術(shù)能夠獨特地消除亞表面損傷，從而實現(xiàn)高性能和高產(chǎn)量的功率器件。整個過程在低壓環(huán)境下進行，專有的化學(xué)和功率平衡被精確地傳遞至晶圓表面。非接觸式等離子體反應(yīng)通過離子和自由基的物理轟擊以及化學(xué)結(jié)合的方式，逐步去除受損的碳化硅表面和亞表面。保留下的材料無損、質(zhì)量優(yōu)異，有效防止了因之前研磨步驟導(dǎo)致的亞表面問題在外延過程中產(chǎn)生的影響。 

SiC Trench刻蝕

牛津儀器PlasmaPro 100系列等離子體刻蝕機以其高速、高密度的特點在SiC trench刻蝕領(lǐng)域取得了突破性的進展，實現(xiàn)SiC trench 刻蝕側(cè)壁光滑度、圓滑度、無微溝槽的形貌，大大提高了器件的耐壓性能，設(shè)備經(jīng)過了嚴格的考驗，因充分的等離子濃度，氦氣冷卻系統(tǒng)和精確均勻的電極溫度控制確保了工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性，cluster單元配置的靈活性可實現(xiàn)同時配備不同腔體配置，滿足真空狀態(tài)下同時完成掩膜刻蝕以及Trench刻蝕，滿足量產(chǎn)需要

 參會聯(lián)系