SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)以其高功率密度、高效率和可靠性，成為未來電子設(shè)備的重要發(fā)展方向，特別是在高壓、高頻和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，適用于多種高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。近日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）在蘇州召開。

期間“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會(huì)上，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)王川寶做了“SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究”的主題報(bào)告，分享了SiC基GaN射頻器件、SiC電力電子器件等的研究進(jìn)展與成果。

王川寶

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)

GaN 民用射頻芯片主要應(yīng)用場(chǎng)景涉及GaN大功率器件100-500W系列，GaN功率器件與模塊40-80W系列，GaN毫米波芯片（26G、28G、39G）等，4G/5G通訊、5G-A應(yīng)用則涉及反無人機(jī)、通訊干擾、射頻醫(yī)美等，GaN全流程自主可控涉及清晰的技術(shù)演化，高可靠性，

SiC功率器件研發(fā)和生產(chǎn)主要涉及芯片加工、封裝測(cè)試、功能模塊環(huán)節(jié)。報(bào)告顯示，國聯(lián)萬眾的6英寸SiC功率芯片研發(fā)生產(chǎn)線，凈化面積超過4000㎡，6英寸SiC產(chǎn)品2019年開始批量供貨，SBD發(fā)貨大于5000萬只，MOS發(fā)貨大于2000萬只。國聯(lián)萬眾的SiC 電力電子器件具有低比導(dǎo)通電阻、閾值電壓一致性、短路耐量、成本等方面具有核心優(yōu)勢(shì)。

嘉賓簡(jiǎn)介：王川寶，2012年獲得北京航空航天大學(xué)材料學(xué)學(xué)位，后就職于中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，射頻器件領(lǐng)域?qū)＜摇Ｄ壳熬吐毐本﹪?lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司，任技術(shù)總監(jiān)。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發(fā)和器件研發(fā)工作。負(fù)責(zé)5G基站用GaN功率管研發(fā)及推廣，期間解決多個(gè)影響GaN功率管長期可靠性的本質(zhì)問題，配合用戶實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用，產(chǎn)品性能指標(biāo)和可靠性處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。獲得國家級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)一項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)一項(xiàng)，授權(quán)專利四項(xiàng)。

公司簡(jiǎn)介：北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司成立于2015年，是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院下屬上市公司“中瓷電子：003031”的全資公司，是國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)中心(北京)主要建設(shè)和運(yùn)營主體單位。公司主營業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，以及第三代半導(dǎo)體封裝、模塊、科技服務(wù)等業(yè)務(wù)。主導(dǎo)產(chǎn)品氮化鎵(GaN)射頻功放芯片技術(shù)水平達(dá)到國際領(lǐng)先，已得到國際主流通信公司大規(guī)模應(yīng)用；碳化硅(SiC) SBD和MOSFET電力電子芯片及模塊技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先，已得到國內(nèi)主流新能源汽車、充電樁企業(yè)大規(guī)模應(yīng)用。 

（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，僅供參考）