天眼查顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司近日取得一項名為“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”的專利，授權公告號為CN221960977U，授權公告日為2024年11月5日，申請日為2024年3月18日。

本實用新型提供了一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET，超結區內設有漂移層，超結區及漂移層連接至碳化硅襯底；溝道區內設有掩蔽層，溝道區以及掩蔽層連接至漂移層；隔離區連接至掩蔽層；源區連接至隔離區；第一柵極絕緣層連接至掩蔽層，第一柵極絕緣層內設有第一溝槽；第一源極金屬層分別連接超結區以及溝道區；第二柵極絕緣層分別連接第一源極金屬層、隔離區以及源區；第二柵極絕緣層內設有第二溝槽；第二源極金屬層分別連接第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層以及源區；第一柵極金屬層設于第一溝槽內；第二柵極金屬層設于第二溝槽內；漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底，提高了柵控能力，降低了器件的導通電阻。