國家知識產權局信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種提高反向續流的雙溝槽SiC MOSFET器件及制備方法”的專利，公開號CN 119133234 A，申請日期為2024年8月。
專利摘要顯示，一種提高反向續流的雙溝槽SiC MOSFET器件及制備方法。涉及半導體技術領域。包括如下步驟：S100，在N +襯底層外延生長形成N 外延層，并通過離子注入在N 外延層頂部形成PW區；S200，對PW區頂面進行刻蝕，形成多個柵極溝槽區；S300，在PW區內次注入形成第一P+區、第二P+區、第一N+區和第二N+區；S400，在第一P+區上刻蝕源極溝槽區，并在源極溝槽區側壁形成歐姆接觸合金，與源極溝槽兩側的P+區形成歐姆接觸；S500，在柵極溝槽區側壁和槽底淀積一層柵氧層，并通過Poly層填充，作為柵電極引出；S600，在N 外延層上依次形成隔離介質層、歐姆接觸合金層、肖特基金屬層和正面電極金屬層。本發明抑制了柵氧化層處的峰值電場，可以改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性問題。
