12月18日，據(jù)長飛先進(jìn)官微消息，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島舉辦。 

據(jù)介紹，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。據(jù)長飛先進(jìn)官微此前消息，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。