天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司“基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設備”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969603A。

本發(fā)明涉及碳化硅技術領域，公開了一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底，其包括：1）準備相同尺寸的多晶碳化硅晶圓和單晶碳化硅襯底片；2）將單晶碳化硅襯底片進行氫注入，將氫離子注入到單晶碳化硅襯底片表面下并形成氫注入層；3）將單晶碳化硅襯底片形成氫注入層的一側與多晶碳化硅晶圓進行鍵合并形成晶圓體；4）將步驟3）中得到的晶圓體沿氫注入層剝離單晶碳化硅襯底片。本申請由于使用基板是多晶碳化硅晶圓，單晶碳化硅襯底片層只有幾微米，大大降低了成本；同時多晶也不會產(chǎn)生翹曲；此外，多晶電導率要遠高于單晶，可以不用減薄。