2月5日，衢州市委召開“工業(yè)強市、產業(yè)興市”打造高質量發(fā)展建設共同富裕示范區(qū)市域樣板推進會。會上共有76個項目簽約，計劃總投資594.5億元。其中：現(xiàn)場集中簽約項目26個，計劃總投資451.5億元；場外簽約項目50個，計劃總投資143億元。 

現(xiàn)場集中簽約項目中涉及多個半導體相關項目，包括浙江芯谷半導體產業(yè)園、半導體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。 

浙江芯谷半導體產業(yè)園 

項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設浙江芯谷半導體產業(yè)園。達產后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。

 半導體核心零部件項目 

項目計劃總投資10億元，租賃廠房54000平方米，建設年產20萬支疊層型壓電陶瓷致動器、10萬片大功率壓電陶瓷換能片、3100枚硅零部件硅環(huán)/硅噴淋頭、10.5萬套半導體核心零部件項目。達產后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入6.6億元，年稅收6500萬元。 

氮化鋁單晶襯底項目 

項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設年產5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產線。達產后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。 

6英寸化合物（砷化鎵、磷化銦、氧化鎵）襯底項目 

項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設廠房約2萬平方米，主要建設6英寸化合物襯底生產線。達產后預計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。 

（來源：衢州發(fā)布、市招商投資促進中心）