半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯粵能”）經(jīng)過(guò)近兩年時(shí)間的技術(shù)研發(fā)和測(cè)試，已成功開(kāi)發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)。該平臺(tái)采用芯粵能自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問(wèn)題，進(jìn)一步提升芯片性能、大幅降低成本。

據(jù)悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)的1200V試制品單片最高良率超過(guò)97%，23mm2芯片尺寸下導(dǎo)通電阻為12.5mΩ，比導(dǎo)通電阻為2.3mΩ•cm2，比肩國(guó)際領(lǐng)先廠商主流產(chǎn)品性能指標(biāo)，溫升系數(shù)、開(kāi)關(guān)損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，2025年1月已經(jīng)零失效通過(guò)HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關(guān)鍵可靠性摸底測(cè)試的1000小時(shí)考核。除第一代產(chǎn)品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進(jìn)一步鞏固其在國(guó)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際領(lǐng)先廠商的趕超。

碳化硅MOSFET在以新能源汽車(chē)主驅(qū)芯片、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等為代表的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用正在以驚人的速度擴(kuò)張，碳化硅MOSFET的技術(shù)迭代也在提速進(jìn)行。業(yè)界公認(rèn)碳化硅溝槽MOSFET是碳化硅平面MOSFET觸及Pitch極限后最佳的技術(shù)方案之一，此前英飛凌、羅姆已開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)碳化硅溝槽MOSFET，安森美也已于近期宣布在其下一代碳化硅MOSFET上采用溝槽結(jié)構(gòu)。芯粵能技術(shù)負(fù)責(zé)人表示：“第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)是芯粵能技術(shù)創(chuàng)新路上的一個(gè)重要里程碑，不僅展示出公司雄厚的研發(fā)實(shí)力，也進(jìn)一步鞏固了公司在行業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位，大幅提升公司的技術(shù)能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。未來(lái)，我們將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的發(fā)展戰(zhàn)略，推動(dòng)更多具有革命性意義的技術(shù)進(jìn)步，助力行業(yè)發(fā)展與轉(zhuǎn)型。”