近日，經(jīng)浙江省博士后工作辦公室批準，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)成功獲批設(shè)立浙江省博士后工作站，標志著鎵仁半導(dǎo)體在高新技術(shù)研發(fā)平臺建設(shè)和高層次人才培養(yǎng)方面邁上了新臺階。

鎵仁半導(dǎo)體現(xiàn)已開啟博士后招聘工作，誠摯歡迎各位優(yōu)秀人才加入。

有意向者請將簡歷發(fā)送至grhr@garen.cc，主題注明“博后應(yīng)聘+畢業(yè)學(xué)校+本人姓名”。招聘詳情請咨詢：

招聘負責(zé)人：賴女士

聯(lián)系方式：19857178815

鎵仁半導(dǎo)體獲批成立浙江省博士后工作站

 率先邁入8英寸時代，全球首例

此前，鎵仁半導(dǎo)體基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，成功制備了全球首顆8英寸氧化鎵單晶，并隨后推出全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底。我國第四代半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代，不僅填補了全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)空白，更標志著我國在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從跟跑到領(lǐng)跑的跨越。

從 2022 年首顆 2 英寸單晶誕生，到2023年4英寸單晶問世以及 2024 年 6 英寸襯底成功制備，再到今日 8 英寸技術(shù)突破，鎵仁半導(dǎo)體僅用兩年多時間完成尺寸跨越式升級，刷新了行業(yè)記錄，創(chuàng)造了氧化鎵技術(shù)領(lǐng)域的 “中國速度”。

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵晶圓襯底

榮獲SEMI 可持續(xù)發(fā)展杰出貢獻獎

在 2025 年全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體行業(yè)盛會 SEMICON CHINA 上，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司全球首發(fā)8英寸氧化鎵晶圓襯底，引領(lǐng)電力電子半導(dǎo)體創(chuàng)新，推動綠色零碳產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并榮獲“SEMI 可持續(xù)發(fā)展杰出貢獻獎”。這一殊榮不僅是對鎵仁半導(dǎo)體長期深耕氧化鎵技術(shù)創(chuàng)新的高度認可，更標志著中國在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)競爭力邁入新階段。

鎵仁半導(dǎo)體榮獲SEMI 可持續(xù)發(fā)展杰出貢獻獎

鎵仁半導(dǎo)體自研氧化鎵專用VB法晶體生長設(shè)備全面開放銷售

鎵仁半導(dǎo)體不僅提供氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，還全面開放氧化鎵專用VB法晶體生長設(shè)備及配套工藝包的銷售。

2024年9月，鎵仁半導(dǎo)體推出了首臺自研氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，不僅能夠滿足氧化鎵生長對高溫和高氧環(huán)境的需求，而且能夠進行全自動化晶體生長，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。

該設(shè)備通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，滿足高校、科研院所、企業(yè)客戶對氧化鎵晶體生長的科研、生產(chǎn)等各項需求。該型氧化鎵VB法長晶設(shè)備及其工藝包已全面開放銷售。

 （來源：鎵仁半導(dǎo)體）