功率半導(dǎo)體是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷㈦娏﹄娮友b置的“CPU”,隨著碳化硅全價值鏈:包括襯底材料-外延-芯片設(shè)計-芯片制造-模塊封裝-系統(tǒng)應(yīng)用等的逐步成熟和提升,碳化硅作為動力之”芯片”成為推動電動汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)之一。新能源車企,為滿足企業(yè)自身快速迭代需求,尋求高度定制化碳化硅SiC模塊或器件,改變原有開發(fā)模式。車規(guī)主驅(qū)應(yīng)用對于碳化硅器件設(shè)計制造技術(shù),以及碳化硅封裝技術(shù)的設(shè)計-工藝-材料-電性能及可靠性等方面提出了更具挑戰(zhàn)性的要求,需要碳化硅從業(yè)者面對挑戰(zhàn),與車企高度配合形成技術(shù)產(chǎn)品閉環(huán)。
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ofran.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會議設(shè)有開幕大會&主旨報告,以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用,超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用,功率集成交叉與應(yīng)用,先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇,將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時,北京昕感科技(集團(tuán))副總,功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人李道會將受邀出席論壇,并分享《面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報告,敬請關(guān)注!
嘉賓簡介
李道會畢業(yè)于清華大學(xué)電子系,2006年獲得英國倫敦大學(xué)瑪麗女王學(xué)院(QMUL)電子工程博士學(xué)位,之后在倫敦大學(xué)從事高能電磁學(xué)領(lǐng)域的研究工作;2013年初加入英國丹尼克斯功率半導(dǎo)體研發(fā)中心負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體封裝開發(fā)工作;2020年10月加入蔚來汽車,任功率半導(dǎo)體團(tuán)隊負(fù)責(zé)人,高級總監(jiān),資深專家;2024年8月加入昕感科技,擔(dān)任北京昕感科技集團(tuán)副總/功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人。在十幾年功率半導(dǎo)體領(lǐng)域工作期間發(fā)表國際期刊論文20余篇,國際會議論文50余篇,共撰寫和申請功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)明專利60余項。
公司簡介
昕感科技聚焦于功率半導(dǎo)體的技術(shù)突破創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn),面向光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等市場提供擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、卓越品質(zhì)、高可靠性的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括功率器件、功率模塊、系統(tǒng)模組等。公司總部設(shè)立在北京,同時在上海、深圳、江陰等地設(shè)立研發(fā)中心與制造基地,構(gòu)建了全面的產(chǎn)品技術(shù)服務(wù)支持網(wǎng)絡(luò)。
目前最新報告嘉賓公布,會議詳情如下:
會議時間:5月22-24日
會議酒店:中國·南京·熹禾涵田酒店
組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
主辦單位:南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ofran.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席:郭宇鋒
聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰
程序委員會:盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任:姚佳飛
副主任:涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術(shù)
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)
2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)
碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)
功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù);制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等
7.功率器件交叉領(lǐng)域
基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動的功率器件仿真,建模與設(shè)計、封裝與測試
會議日程總覽
最新報告嘉賓
備注:以下為目前部分報告嘉賓和議題,不分先后!
張進(jìn)成--西安電子科技大學(xué)副校長、教授
孫偉鋒--東南大學(xué)集成電路學(xué)院院長
唐為華--南京郵電大學(xué)教授、鎵和半導(dǎo)體董事長
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)
喬明--電子科技大學(xué)教授
TBD--英諾賽科科技有限公司
TBD--揚杰科技
王慶宇--新微半導(dǎo)體董事長
陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件
葉建東--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
魏進(jìn)--北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
張宇昊 鞏賀賀--香港大學(xué)教授、博士后研究員
宋慶文--西安電子科技大學(xué)教授
面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案:集成工藝與創(chuàng)新
王鶴鳴--愛發(fā)科(蘇州)技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成
黃森--中國科學(xué)院微電子研究所研究員
新能源時代半導(dǎo)體封測技術(shù)與趨勢
邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人
功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望
朱正宇--熾芯微電子科技(蘇州)有限公司董事長&總經(jīng)理
面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)
李道會--北京昕感科技(集團(tuán))副總,功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人
氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究
周 峰--南京大學(xué)副研究員
宣融--南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理
寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)
程新紅--中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)研究所研究員
鄧小川--電子科技大學(xué)教授
劉盼--復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任
施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師
彭燕--山東大學(xué)教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
張潔--西交利物浦大學(xué)芯片學(xué)院助理教授、本科專業(yè)負(fù)責(zé)人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
劉超--山東大學(xué)集成電路學(xué)院/晶體材料全國重點實驗室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大學(xué)能源與電氣工程學(xué)院講師
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質(zhì)p-n結(jié)二極管
章建國--中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所博士
......更多報告嘉賓持續(xù)確認(rèn)更新中
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……
活動參與:
注冊費2800元,5月15日前注冊報名2500元(含會議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)
繳費方式
①銀行匯款
開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號:336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動支付
備注:通過銀行匯款/移動支付,請務(wù)必備注:單位簡稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預(yù)報名
備注:此碼為預(yù)報名通道,完成信息提交后,需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢:
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯(lián)系:
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(英文)》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協(xié)議價格:標(biāo)間&大床房,400元/晚,含早餐
地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號
郵箱:503766958@qq.com
酒店聯(lián)系人
陸經(jīng)理 15050562332 025-58628888