氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、飽和速度高等優異的材料特性，是研制下一代大功率電子器件的先進戰略性電子材料。近年來，得益于單晶襯底制備和n型外延摻雜技術的日益成熟，氧化鎵在功率電子器件領域的發展十分迅速，器件部分性能指標已超越碳化硅的理論極限，充分展現出氧化鎵巨大的發展潛力。
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協辦。
會議設有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業鏈各環節。
屆時，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授葉建東將受邀出席論壇，并分享《氧化鎵異質結構與器件》的主題報告，將介紹南京大學團隊在氧化鎵超寬禁帶半導體材料與器件方面的研究進展，同時展望超寬禁帶半導體領域的關鍵挑戰，敬請關注！
嘉賓簡介
葉建東，2006年至2015年分別于新加坡微電子研究所任職Senior Research Engineer和澳大利亞國立大學QE II Fellow。2010年于南京大學電子科學與工程學院任職教授、博導。長期從事氧化鎵超寬禁帶半導體材料與器件研究。作為通訊作者近5年發表80余篇高水平論文，主/參編專著4本，授權發明專利14件。主持國家重點研發計劃、基金委杰青/重點/優青、江蘇省杰青、江蘇省重大科技專項、江蘇省重點研發計劃等。第一完成人獲江蘇省科學技術二等獎和澳大利亞QE II研究獎等。
目前最新報告嘉賓公布，會議詳情如下：
會議時間：5月22-24日
會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店
組織機構
指導單位：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術
2.碳化硅功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
5.模組封裝與應用技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等
7.功率器件交叉領域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程總覽
最新報告嘉賓
備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！
張進成--西安電子科技大學副校長、教授
孫偉鋒--東南大學集成電路學院院長
唐為華--南京郵電大學教授、鎵和半導體董事長
用于XPU供電的DrMOS器件發展趨勢與技術挑戰
喬明--電子科技大學教授
TBD--英諾賽科科技有限公司
TBD--揚杰科技
王慶宇--新微半導體總經理
陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
氧化鎵異質結構與器件
葉建東--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
魏進--北京大學集成電路學院研究員
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
張宇昊 鞏賀賀--香港大學教授、博士后研究員
宋慶文--西安電子科技大學教授
面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創新
王鶴鳴--愛發科（蘇州）技術研究開發有限公司研究員
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成
黃森--中國科學院微電子研究所研究員
新能源時代半導體封測技術與趨勢
邢衛兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術中心負責人
功率器件封裝技術的發展及展望
朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經理
面向車規應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰
李道會--北京昕感科技(集團)副總，功率模塊事業部負責人
氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究
周 峰--南京大學副研究員
宣融--南京百識電子科技有限公司總經理
寬禁帶半導體3D集成技術
程新紅--中國科學院上海微系統研究所研究員
鄧小川--電子科技大學教授
劉盼--復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心副主任
施宜軍--工業和信息化部電子第五研究所高級工程師
彭燕--山東大學教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
張潔--西交利物浦大學芯片學院助理教授、本科專業負責人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
劉超--山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大學能源與電氣工程學院講師
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質p-n結二極管
章建國--中國科學院寧波材料技術與工程研究所博士
......更多報告嘉賓持續確認更新中
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創芯、華中科技大學等……
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名
備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章擇優推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區象賢路158號
郵箱：503766958@qq.com
酒店聯系人
陸經理 15050562332 025-58628888
