超寬禁帶半導體氧化鎵（Ga2O3）憑借其超寬禁帶寬度和臨界擊穿場強，成為高壓、高頻功率器件的理想候選材料。當前材料制備與器件設計的研究備受關注。未來3-5年，氧化鎵或將在新能源汽車電驅系統(tǒng)、智能電網等領域實現(xiàn)示范性應用，但大規(guī)模產業(yè)化需解決散熱封裝技術與成本控制的雙重難題。
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產業(yè)網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會議設有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時，鎵和半導體董事長、南京郵電大學教授唐為華將受邀出席論壇，并帶來《超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究進展》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關注！
嘉賓簡介
唐為華，南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）教授、博士生導師，我國寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件領域的領軍人物之一。入選國家“新世紀百千萬人才工程”、中國科學院“百人計劃”，江蘇省“雙創(chuàng)人才”，江蘇省“雙創(chuàng)團隊”領軍人才，享受國務院政府特殊津貼，獲北京市科學技術獎一等獎和二等獎各一項，浙江省自然科學獎三等獎一項。長期從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料和器件研究，主持包括國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學基金重點項目、北京市科技計劃專項、江蘇省雙創(chuàng)團隊項目等國家級省部級重大重點課題二十余項。已在國內外重要學術雜志上發(fā)表SCI收錄論文300多篇，ESI高被引論文20多篇，論文被引用17000多次，H因子65，授權發(fā)明專利30多項。連續(xù)四年（2021/2022/2023/2024）獲評愛思維爾中國高被引學者（Most Cited Chinese Researchers），連續(xù)五年入選斯坦福發(fā)布的World Top 2% Scientists榜單。
南京郵電大學氧化鎵團隊（IC-GAO）是國內最早開展氧化鎵材料與器件研究的團隊之一，多年來聚焦超寬禁帶半導體氧化鎵的單晶材料生長、外延薄膜制備、信息功能器件和功率電子器件研制。團隊孵化了江蘇省第一家超寬禁帶半導體氧化鎵科創(chuàng)企業(yè)-蘇州鎵和半導體有限公司，形成了包括裝備制造、大英寸單晶制備和加工、高質量外延、高集成器件在內的核心技術。南郵氧化鎵團隊將立足高校突破基礎技術研究，借助企業(yè)平臺轉化創(chuàng)新成果，致力于第四代超寬禁帶半導體氧化鎵技術的引領。
會議時間：5月22-24日
會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店
組織機構
指導單位：第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產業(yè)網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業(yè)
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術
2.碳化硅功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
5.模組封裝與應用技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等
7.功率器件交叉領域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程總覽
最新報告嘉賓
備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！
張進成--西安電子科技大學副校長、教授
孫偉鋒--東南大學集成電路學院院長
唐為華--南京郵電大學教授、鎵和半導體董事長
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)
喬明--電子科技大學教授
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)
TBD--英諾賽科科技有限公司
TBD--揚杰科技
王慶宇--新微半導體總經理
氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命
陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
氧化鎵異質結構與器件
葉建東--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
氧化鎵異質結構與器件
魏進--北京大學集成電路學院研究員
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
張宇昊 鞏賀賀--香港大學教授、博士后研究員
宋慶文--西安電子科技大學教授
面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新
王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術研究開發(fā)有限公司研究員
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成
黃森--中國科學院微電子研究所研究員
新能源時代半導體封測技術與趨勢
邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術中心負責人
功率器件封裝技術的發(fā)展及展望
朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經理
面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)
李道會--北京昕感科技(集團)副總，功率模塊事業(yè)部負責人
氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究
周 峰--南京大學副研究員
氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究
宣融--南京百識電子科技有限公司總經理
程新紅--中國科學院上海微系統(tǒng)研究所研究員
寬禁帶半導體3D集成技術
鄧小川--電子科技大學教授
劉盼--復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心副主任
施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師
P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法
彭燕--山東大學教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
張潔--西交利物浦大學芯片學院助理教授、本科專業(yè)負責人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
劉超--山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大學能源與電氣工程學院講師
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質p-n結二極管
章建國--中國科學院寧波材料技術與工程研究所博士
......更多報告嘉賓持續(xù)確認更新中
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學等……
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名
備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯(lián)系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號
郵箱：503766958@qq.com
酒店聯(lián)系人
陸經理 15050562332 025-58628888
