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簡述GaN 外延生長方法及生長模式

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

河工大張紫輝團(tuán)隊在GaN基Micro-LED方面獲得新進(jìn)展

淺述GaN功率器件的發(fā)展

北京交大科研團(tuán)隊提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

簡述提高GaN效率的新?lián)诫s技術(shù)

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導(dǎo)體激光器

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的方法

GaN 封裝技術(shù)研究進(jìn)展

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

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