2024年11月18-21日，年度國際第三代半導體行業(yè)盛會——“第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）”在蘇州召開。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

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出席開幕式的領導嘉賓有中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇，中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮，中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁，中國工程院院士、清華大學教授羅毅，中國科學院外籍院士、瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授Lars SAMUELSON，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處副處長朱邵歆，中國中小企業(yè)協(xié)會、國家發(fā)展改革委原氣候司巡視員謝極，科技部戰(zhàn)略規(guī)劃司原司長王曉方，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）聯(lián)合秘書長、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部資源配置與管理司原副司長、一級巡視員曹國英，工業(yè)與信息化部電子司原副司長季國平，國家自然科學基金委員會信息科學部原副主任何杰，蘇州實驗室副主任景震強，蘇州市科技局副局長劉俊，蘇州納米科技發(fā)展有限公司黨委書記、董事長張淑梅，美國光學學會院士、中美光電學會院士、臺灣清華大學榮譽講座教授劉容生，臺灣光電科技工業(yè)協(xié)進會前執(zhí)行長羅懷家，美國 PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席 Victor VELIADIS，華為技術日本株式會社大阪研究所高級首席專家Kimimori HAMADA，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMA，英特爾研究院副總裁、英特爾中國研究院院長宋繼強，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波，聯(lián)盟副理事長、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長、研究員、江蘇第三代半導體研究院院長徐科，中國科學院大學教授、中國科學院空天信息創(chuàng)新研究院研究員、“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”專項專家組組長樊仲維，華南師范大學校長楊中民， 中國科學院福建物質結構研究所副所長林文雄，清華大學教授潘峰，西安電子科技大學副校長、教授張進成，香港科技大學首席教授陳敬，福州大學特聘教授、國際信息顯示學會（SID)中國區(qū)總裁嚴群，賽迪研究院集成電路研究所所長周峰，華潤微電子有限公司總裁李虹，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁董博宇，揚州揚杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤，杭州士蘭微電子股份有限公司副總經(jīng)理、教授級高工聞永祥，深圳匯川技術有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司董事長王垚浩，河北同光半導體股份有限公司董事長鄭清超，復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任張清純，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲，中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長、中國科學院半導體研究所原所長、研究員、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任李晉閩。此外，還有眾多來自海內外相關領域的政府領導、知名專家、企業(yè)領袖、行業(yè)組織領導、投資機構以及媒體朋友，近千人出席了開幕大會。圍繞第三代半導體技術、應用，深入探討交流最新技術進展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持了開幕式環(huán)節(jié)。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持開幕式環(huán)節(jié)

培塑融合創(chuàng)新生態(tài)新思路  賦能產(chǎn)業(yè)升級新進程  

不同應用的變革升級以及新興領域的拓展，帶來第三代半導體材料應用的持續(xù)增長，帶動更多應用領域的更新?lián)Q代和產(chǎn)業(yè)升級。產(chǎn)業(yè)鏈融通，以及創(chuàng)新生態(tài)構建將有利于整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新和良性循環(huán)，推動產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟發(fā)展。

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇為大會致辭

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇致辭時表示，隨著人工智能高算力需求爆發(fā)，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半導體材料和器件成為滿足信息技術面向超高速、超大容量發(fā)展的必然選擇。全球正在經(jīng)歷新一輪電氣化進程，交通運輸、大算力設施等新興應用的快速布局對更加高效、更加強勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統(tǒng)研發(fā)的新動力。寬禁帶半導體與其他功能材料實現(xiàn)跨材料體系的異質集成和功能融合，開發(fā)新型器件是第三代半導體領域的重要發(fā)展趨勢。半導體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對半導體行業(yè)尤為重要，加強技術研究和原始創(chuàng)新，實現(xiàn)關鍵核心技術突破，以創(chuàng)新驅動產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展，同時要堅持加強全球產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的協(xié)作，仍然是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要路徑。

中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮為大會致辭

半導體技術，作為現(xiàn)代科技的核心驅動力之一，一直以來都在不斷革新和突破，備受全球關注，新的時代發(fā)展趨勢下，迎來了非常好的發(fā)展機遇。中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮致辭時表示，當前，第三代半導體材料以其獨特的性能優(yōu)勢，無論是在光電技術，還是在功率電子技術、射頻電子技術方面都有著不可替代的作用，近些年發(fā)展也取得了長足的進步。第三代半導體具有產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新融合的特點，可以在闖出融合新路的過程當中做出更大的貢獻。希望來自各地的業(yè)界同仁通過論壇深入的交流碰撞，更好的找到未來前進的方向，也為我國的產(chǎn)教融合，產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新的融合創(chuàng)造更好的條件。希望年輕的科技工作者和同學們通過論壇不斷的探討學習思考成長，更快的成長起來，撐起我們第三代半導體新的天空，共同書寫新的輝煌篇章。

工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力為大會致辭

蘇州實驗室副主任景震強為大會致辭

新材料產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性基礎性產(chǎn)業(yè)，必將成為未來高新技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石和先導。蘇州實驗室副主任景震強致辭時表示，當前，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)革命深入發(fā)展，新材料的研發(fā)和應用已經(jīng)成為推動產(chǎn)業(yè)升級經(jīng)濟增長，培育發(fā)展新質生產(chǎn)力的重要力量。第三代半導體材料具有獨特的優(yōu)勢，對于引領支撐信息產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展具有關鍵作用，全球科技界產(chǎn)業(yè)界都高度關注，競相布局。科技強國材料必須先行，蘇州實驗室前瞻布局戰(zhàn)略性材料，承擔著建設全國材料科技創(chuàng)新高地和人才高地的重任。當前，蘇州實驗室正全力打造尖端人才聚集和科技體制改革兩個平臺，秉持開放合作的理念，將努力發(fā)揮材料領域科技攻關總平臺的作用，進一步加強與國內外科研機構、高校、科技領軍企業(yè)之間的協(xié)同創(chuàng)新，構建科學技術工程融通創(chuàng)新機制，力爭以材料科技突破引發(fā)產(chǎn)業(yè)變革，也歡迎海內外優(yōu)秀人才有志之士加入一起共創(chuàng)美好未來。

聯(lián)盟（CASA）9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準發(fā)布

為促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在產(chǎn)業(yè)各界的關注和支持下，2021年起布局并持續(xù)啟動了SiC MOSFET功率器件的系列標準制定工作，希望能夠業(yè)界建立起統(tǒng)一的產(chǎn)品可靠性評價及測試方法，樹立應用市場信心，支撐新興市場開拓。開幕式上，舉行了9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準的發(fā)布儀式。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲

發(fā)布《2024年度中國第三代半導體技術十大進展》

2024年度中國第三代半導體技術十大進展名單

2024年，第三代半導體技術與產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業(yè)前沿、凸顯具有影響力和突破性的進展，為行業(yè)發(fā)展提供清晰視角，激勵更多創(chuàng)新，大會程序委員會倡議，啟動2024年度中國第三代半導體技術十大進展評選活動。截止11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術39項，經(jīng)程序委員會投票、綜合評議，開幕式上，“6-8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術實現(xiàn)重大突破”、“垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備”“基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術”等十大技術進展正式揭曉。 

產(chǎn)學研用資各界齊聚探新路 助力創(chuàng)新應用新浪潮

新科技時代背景下，創(chuàng)新和技術挑戰(zhàn)持續(xù)推動著第三代半導體技術研究和應用的發(fā)展進程，展現(xiàn)出巨大的應用潛力，產(chǎn)業(yè)化水平不斷提升。技術的變革升級也將深刻影響未來產(chǎn)業(yè)的格局塑造。

開幕大會主旨報告環(huán)節(jié)，共有九大國際重量級報告，從產(chǎn)業(yè)、技術等多維度探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展的未來，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新篇章。中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁分享《半導體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)》大會報告，美國 PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授  、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADIS分享《加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展》大會報告，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹分享《用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發(fā)研究》大會報告，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波分享《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》大會報告，華為技術日本株式會社大阪研究所高級首席專家分享濱田公守《最新的高性能SiC MOSFET技術趨勢》大會報告，華潤微電子有限公司總裁李虹分享《融通半導體產(chǎn)業(yè)鏈 構建應用創(chuàng)新生態(tài)圈》大會報告，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁董博宇分享《同芯共贏，以裝備創(chuàng)新推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展》大會報告，瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授Lars SAMUELSON分享《實現(xiàn)超小型全氮化微型LED的納米級材料科學》大會報告，西安電子科技大學副校長、教授張進成分享《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》 大會報告，山東大學教授徐現(xiàn)剛、香港科技大學首席教授陳敬、中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻聯(lián)袂主持了大會主旨報告環(huán)節(jié)。

論壇現(xiàn)場

高峰對話

半導體材料產(chǎn)業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴重等特點。從半導體材料產(chǎn)業(yè)來看，也面臨著產(chǎn)品水平處于中低端，先進、高端半導體材料嚴重依賴進口，企業(yè)規(guī)模較小，半導體材料的生長、加工設備缺乏，半導體材料的測試設備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導體的材料和器件研究依然面臨一系列關鍵科學技術問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。開幕大會高峰對話環(huán)節(jié)，北京大學理學部副主任、特聘教授沈波主持下，華潤微電子總裁李虹，揚杰電子副董事長梁瑤，士蘭微電子副總經(jīng)理聞永祥，匯川技術聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，南砂晶圓董事長王垚浩等頭部企業(yè)帶頭人、實力派專家，圍繞“碳化硅從6英寸逐漸向8英寸轉化的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”、“功率器件應用市場需求釋放”、“產(chǎn)業(yè)生態(tài)優(yōu)化”等當前產(chǎn)業(yè)企業(yè)發(fā)展的熱點重要前沿話題，前瞻與務實相結合，面對面對話探討，現(xiàn)場碰撞出熱烈火花。

第六屆先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）現(xiàn)場

POSTER展示交流

POSTER頒獎現(xiàn)場

2024年度推薦品牌獎頒發(fā)現(xiàn)場

本屆論壇為期三天，匯聚全球頂級精英，技術與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體及相關領域的前沿熱點、技術應用、產(chǎn)業(yè)趨勢。來自政、產(chǎn)、學、研、用、資等LED及第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域國內外知名專家、企業(yè)高管、科研院所高校學者，共計2100余名代表注冊參會。通過大會、16場主題技術分論壇、5場熱點產(chǎn)業(yè)峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話、以及第六屆先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多種形式的活動，在近30個專題活動、230余個主題報告，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享前沿技術進展，交流探討，觀點碰撞，探求技術與產(chǎn)業(yè)化融合創(chuàng)新與發(fā)展之道。

與此同時，IFWS&SSLCHINA論壇為了發(fā)掘和培育第三代半導體產(chǎn)業(yè)及半導體照明所屬領域優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌，助力高新技術企業(yè)品牌創(chuàng)建與培育、品牌維護與核心價值提升，論壇為行業(yè)發(fā)展做出了積極貢獻的企業(yè)/單位頒發(fā)了2024年度推薦品牌獎。并且，本屆論壇共收到260余篇論文投稿，論壇與IEEE合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表。現(xiàn)場展示116篇POSTER海報。經(jīng)過程序委員會專家，以及參會人的投票，評選出了10篇最佳POSTER獎。在大會閉幕總結儀式現(xiàn)場，現(xiàn)場頒發(fā)了最佳POSTER一、二、三等獎及優(yōu)秀海報獎。