江蘇第三代半導體研究院成立于2019年7月，是江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與國家第三代半導體技術創(chuàng)新聯盟運營團隊共建的新型研發(fā)機構。研究院圍繞第三代半導體在新型顯示、下一代通信、電力電子、環(huán)境與健康等領域的應用，開展第三代半導體高質量材料制備技術、器件外延技術、芯片工藝技術、應用模塊設計與集成技術及相關裝備技術的研發(fā)，通過搭建高水平的共性平臺，推動產學研用的深度協作創(chuàng)新，實現基礎研究、技術開發(fā)和產業(yè)應用的有機融合，逐步建成具有國際影響力的第三代半導體技術創(chuàng)新中心。 2020年研究院通過了“國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心”的建設方案。
二、崗位職責與應聘條件
博士后
▌研究方向
新型顯示、激光器、深紫外、電力電子
▌應聘條件
1. 具有半導體材料、晶體材料、半導體物理與器件、物理（DLTS、深能級瞬態(tài)譜）等相關理工科專業(yè)博士；
2. 從事第三代半導體器件（如Micro-LED、激光器、深紫外LED、HEMT等）仿真設計、MOCVD外延、芯片工藝、測試分析等相關領域研發(fā)的海內外優(yōu)秀人才。
或者獨立操作D-SIMS、電鏡、XRT、TDTR與HALL等設備開展相關材料課題研究的優(yōu)秀博士；
具有扎實的專業(yè)基礎與豐富的實驗經驗，獨立科研能力；較強英語閱讀和寫作能力
4. 工作認真，責任心強，動手能力強并具有團隊合作精神；
研發(fā)工程師
▌主要職責
按照公司制定的項目新產品開發(fā)計劃和技術方案開展研發(fā)工作；參與新產品專利資料的撰寫和整理工作；根據產品領域獨立提出研發(fā)計劃。
▌應聘條件
具有碩士以上學歷，材料、物理、半導體、微電子等相關理工科專業(yè)；有第三代半導體材料MOCVD外延生長、器件、芯片等工作經驗優(yōu)先。
外延工程師
▌主要職責
負責芯片外延結構和工藝開發(fā)。
▌應聘條件
具有碩士以上學歷，材料、物理、半導體、微電子等相關理工科專業(yè)；MOCVD外延生長、器件、芯片等工作經驗優(yōu)先。
工藝工程師
▌主要職責
執(zhí)行產品生產的一個或者多個工藝環(huán)節(jié)，熟悉相關設備的原理和操作，運行并維護相關的生產設備，保障生產的成品率。
▌應聘條件
熟悉第三代半導體器件工藝（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）。具有本科以上學歷，材料、物理、半導體、微電子等相關理工科專業(yè)優(yōu)，在半導體及相關行業(yè)有工作經驗者優(yōu)先。
測試分析工程師
▌主要職責
負責器件性能測試分析。根據要求，操作材料表征、性能測試等相關測試設備，對研究院相關產品進行測試分析。
▌應聘條件
熟悉第三代半導體材料和器件（如Micro-LED, 激光器，HEMT等）光電性能相關測試分析設備，具有本科以上學歷，理工科專業(yè)，在半導體測試及相關行業(yè)有工作經驗者優(yōu)先。
專利工程師
▌主要職責
負責研究院研發(fā)產品/項目的專利挖掘，并根據公司重點產品/技術和發(fā)展規(guī)劃進行全球專利布局、行業(yè)競爭對手專利風險評估，以及后續(xù)申請審核、答復、復審及無效等；對研究院的專利進行分級管理，挖掘競爭對手侵權專利，制定關聯的產品侵權對照表；跟技術人員進行技術和專利方面的對接，對技術人員提供的技術交底書進行審核和完善，輔助形成專利；
▌應聘條件
微電子類、半導體類或相關專業(yè)本科及以上學歷，有企業(yè)專利布局、專利挖掘經驗優(yōu)先；具有較好的英語讀寫能力，能夠準確、完整理解英文科技文獻。
三、企業(yè)優(yōu)勢
國家重大戰(zhàn)略布局方向，國家、省、市、園區(qū)重點支持
高精尖團隊，碩博以上學歷占比75%以上
提供具備市場競爭優(yōu)勢的薪酬與福利
沒有職業(yè)天花板的發(fā)展空間及Y型職業(yè)發(fā)展雙通道
豐富的培訓學習和繼續(xù)深造機會
應屆碩士畢業(yè)生工作滿兩年后，優(yōu)秀員工可以在職讀博
四、申請方式
1. 應聘者請將個人簡歷等發(fā)送至hr_ias@iasemi.cn ，初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
2. 個人詳細簡歷應包括：自大學開始至申請期間不間斷的學習、工作簡歷，近年來發(fā)表的論文、著作、專利、負責的科研項目或領銜的課程和實驗教學、研發(fā)、應用等方面取得的成果清單，聯系電話、電子信箱等信息。
3. 單位地址：蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢
公司網址：www.iasemi.cn 聯系電話： 0512-62872850