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關于芯元基

芯元基自主開發出了一整套全新的可以規模化量產的以化學剝離（CLO）GaN生長襯底為核心的GaN芯片技術及工藝。主要包括：一、復合藍寶石圖形襯底（DPSS)技術，與行業里常用的藍寶石圖形襯底（PSS）技術相比優勢明顯；二、側向外延生長技術可以把DPSS襯底上GaN外延層中的位錯密度降低到10⁷/cm²，其他異質外延生長技術很難做到小于10⁸/cm²；三、化學剝離生長襯底的工藝，與常規的激光剝離工藝相比，成本和良率優勢非常明顯，從本質上來講，激光剝離對芯片的漏電性能有負面影響，化學剝離可以減小芯片的漏電。

芯元基Micro LED芯片的亮度是主要競爭對手的2倍以上，產品性能國際領先，獲得了重復的研發訂單。芯元基成功地開發出了0.41 inch的單色Micro LED微顯示屏，在沒有進行Demura的情況下，顯示均勻性已經達到同行同類產品Demura后的水平。芯元基在國內首次點亮了4萬像素的矩陣車燈，在2024年6月上海國際車燈展會上，效果超過了國際大廠的展品。

芯元基的技術推動了Micro LED芯片的規模化量產，用來生產Mini 薄膜倒裝LED芯片，由于省掉了襯底減薄，激光劃裂和裂片工序，芯片間不需要劃裂溝道，成本優勢非常明顯。基于薄膜芯片的晶圓級封裝技術，能夠很好地發揮量子點的優越性能，推動Mini LED背光技術的進一步發展。

GaN材料在電子功率和射頻芯片方面的優勢也是無與倫比，芯元基的核心技術（DPSS襯底、側向外延生長技術、化學剝離襯底技術）可以很好的解決電子功率和射頻芯片的可靠性和散熱問題。

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